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RFP-PCVD- RF Plazma support sputtering machine parallel plate -
RFプラズマCVD実験装置(平行平板型)
シリーズ RFP-PCVD
概要 RFプラズマCVD実験装置
特徴 ヒーター特性900℃まで50分以内で上昇可能である。
電源電圧 AC200V 三相3線式 50/60Hz(電源電圧変動:±10%)
最大電流 60A
運転可能周囲温度湿度 +5~+35℃/75%rhまで
装置本体外形寸法(W×H×Dmm) 2400×1765×800
装置システム敷地寸法(W×Dmm) 3700×1500
装置本体重量(kg) 800
装置に使用した環境条件
冷却 蒸気 オイル 特殊ガス エネルギー
需要種別 オーダー装置(ユーザーより要求仕様に基づき協同製作)

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